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三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)箱芯片行業(yè)使用設(shè)備
簡(jiǎn)要描述:

三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)箱在芯片行業(yè)發(fā)揮著重要作用。它擁有三個(gè)獨(dú)立箱體,分別實(shí)現(xiàn)高溫、低溫和測(cè)試區(qū)的精準(zhǔn)控制。對(duì)于芯片行業(yè)而言,該設(shè)備能模擬各種不同的溫度環(huán)境變化,檢測(cè)芯片在不同溫度沖擊下的性能和可靠性。精準(zhǔn)的溫度控制和快速的溫度轉(zhuǎn)換確保測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。幫助芯片企業(yè)提前發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品潛在問題,提升芯片質(zhì)量,為芯片行業(yè)的發(fā)展提供有力的檢測(cè)支持,是芯片企業(yè)不可少的重要設(shè)備。三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)箱芯片行業(yè)使用設(shè)備

  • 產(chǎn)品型號(hào):TSD-150F-3P
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2024-09-03
  • 訪  問  量:234
詳情介紹
品牌廣皓天價(jià)格區(qū)間5萬-10萬
產(chǎn)地類別國產(chǎn)應(yīng)用領(lǐng)域能源,電子/電池,道路/軌道/船舶,航空航天,電氣
高溫區(qū)+60℃~200℃低溫區(qū)-10℃~-60℃
溫度波動(dòng)度±0.5℃溫度均勻度±3℃
溫度恢復(fù)時(shí)間3~5 分鐘 高溫槽升溫速度平均約 5℃/min
低溫槽降溫速度平均約 1.5℃/min高低溫暴露時(shí)間 30min 以上
高低溫轉(zhuǎn)換時(shí)間≤10秒樣品容積36L
工作室尺寸600×500×500mm(寬 × 高 × 深)外形尺寸約 1880×1850×2120mm
電源380V/50Hz重量約 560kg


三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)箱芯片行業(yè)使用設(shè)備



在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代,芯片作為電子設(shè)備的核心部件,其質(zhì)量和可靠性至關(guān)重要。而三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)箱,正是芯片行業(yè)中一款不可少的檢測(cè)設(shè)備。它以其出色的性能和精準(zhǔn)的測(cè)試能力,為芯片的研發(fā)、生產(chǎn)和質(zhì)量控制提供了有力的保障。


一、主要功能及特點(diǎn):


功能:能夠快速實(shí)現(xiàn)高溫、低溫之間的切換,模擬芯片在實(shí)際使用中可能面臨的惡劣的溫度變化環(huán)境,對(duì)芯片的性能、可靠性進(jìn)行嚴(yán)格測(cè)試。


特點(diǎn):


  1. 三箱獨(dú)立結(jié)構(gòu),確保溫度轉(zhuǎn)換高效、準(zhǔn)確。

  2. 精準(zhǔn)的溫度控制,溫度波動(dòng)小,保證測(cè)試結(jié)果的可靠性。

  3. 操作簡(jiǎn)便,智能化控制系統(tǒng),方便用戶進(jìn)行參數(shù)設(shè)置和監(jiān)控。

  4. 具有良好的穩(wěn)定性和耐用性,能夠長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)工作。







二、TSD-150F-3P 參數(shù):
  • 溫度范圍:高溫區(qū) +60℃~+150℃,低溫區(qū) -10℃~-65℃。

  • 溫度波動(dòng)度:高溫區(qū) ±0.5℃,低溫區(qū) ±1.0℃。

  • 溫度均勻度:高溫區(qū) ±2.0℃,低溫區(qū) ±2.0℃。

  • 升溫速率:從常溫升溫至 +150℃約 30 分鐘。

  • 降溫速率:從常溫降溫至 -65℃約 60 分鐘。

  • 工作室尺寸:寬 × 高 × 深為 600mm×500mm×500mm。



三、具備測(cè)試條件:
該試驗(yàn)箱具備精準(zhǔn)的溫度控制能力,能夠在高溫與低溫之間快速切換,模擬各種不同的溫度變化情況。無論是三箱式還是二箱式,都擁有寬敞的測(cè)試空間,可滿足不同尺寸產(chǎn)品的測(cè)試需求。同時(shí),配備高性能的監(jiān)測(cè)系統(tǒng),實(shí)時(shí)記錄測(cè)試過程中的溫度、時(shí)間等參數(shù),為測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性提供保障。


四、滿足以下標(biāo)準(zhǔn)


一、國際標(biāo)準(zhǔn)


  1. IEC 60068-2-14:環(huán)境試驗(yàn) 第 2 部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn) N:溫度變化。

  2. MIL-STD-810F:美國J用標(biāo)準(zhǔn),環(huán)境工程考慮和實(shí)驗(yàn)室試驗(yàn)方法。


二、國家標(biāo)準(zhǔn)


  1. GB/T 2423.1-2008:電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第 2 部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn) A:低溫。

  2. GB/T 2423.2-2008:電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第 2 部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn) B:高溫。

  3. GB/T 2423.22-2012:環(huán)境試驗(yàn) 第 2 部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn) N:溫度變化。





三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)箱芯片行業(yè)使用設(shè)備



三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)箱在芯片行業(yè)中扮演著關(guān)鍵的角色。它的出現(xiàn),為芯片企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量、增強(qiáng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力提供了有力的支持。選擇三箱式冷熱沖擊試驗(yàn)箱,就是為芯片的出色品質(zhì)保駕護(hù)航


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